靜電放電(Electrostatic Discharge, ESD)是造成大多數的電子元件或電子系統受到過度電性應力(Electrical Overstress, EOS)破壞的主要因素。這種破壞會導致半導體元件以及電腦系統等，形成一種永久性的毀壞，因而影響 積體電路(Integrated Circuits, IＣs)的電路功能，而使得電子產品工作不正常。
而靜電放電破壞的產生，多是由於人為因素所形成，但又很難避免。電子元件或系統在製造、生產、組裝、測試、存放、搬運等的過程中，靜電會累積在人體、儀器、儲放設備等之中，甚至在電子元件本身也會累積靜電，而人們在不知情的情況下，使這些物體相互接觸，因而形了一放電路徑，使得電子元件或系統遭到靜電放電的肆虐。
如何才能避免靜電放電的危害呢？除了加強工作場所對靜電累積的控制之外，必須在電子產品中加入具有防患靜電放電破壞的裝置。首先必需考量這額外裝置的效能，如何處理才能達到有效防護的功用。而這裝置應放在何處？以及在工業上的大量應用中，如何才是最省成本的設計方式？這些問題都應一一處理及考慮。
在防護裝置的設計上，從加強積體電路本身對靜電放電的耐受能力上著手，可以解決晶片包裝後，組裝、測試、存放、搬運等所遭遇到大多數靜電放電的問題。目前半導體積體電路以互補式金氧半導體(CMOS)技術為主，在本網路中即針對CMOS積體電路之靜電放電防護技術作深入的介紹。